Бібліотека коледжу радіоелектроніки

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

периодика - результаты поиска

Вид поиска

Аналитическое описание статей

периодика

сводная

1 курс 10-11 клас підручники

Українська література (11 клас)

Українська література (10 клас)

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

сводная (50)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: <.>DP=2024$<.>

Общее количество найденных документов : 236
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Шифр: ТКЭА/2023/3/4
Журнал

Технологія та конструювання в електронній апаратурі [ЕР] : науково-виробничий журнал/ Засновник Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (Київ), засновник Науково-виробниче підприємство «Сатурн» (Київ), засновник Національний університет «Одеська політехніка» (Одеса), засновник Видавництво «Політехперіодика» (Одеса). - Одеса : Политехперіодика, 1977 - . - ISSN 0130-6243 2225-5818 (Print)2309-9992 (Online). - Выходит ежеквартально
2023г. № 3/4
Перейти: Читати,
Перейти: Зміст. Окремі статті. Тексти
Имеются экземпляры в отделах:
сервер ДФКР, електронна бібліотека Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

621.315.592
П 49

POLUKHIN, O. S.
ASPECTS OF USING OF SHEET THERMOMIGRATION OF THE Al+Si THREE-DIMENSIONAL LIQUID ZONE TO FORM SEMICONDUCTOR POWER DEVICES [Электронный ресурс] / O. S. POLUKHIN, V. V. KRAVCHINA. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 34-41 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

621.315.592

Рубрики: PRODUCTION TECHNOLOGY AND EQUIPMENT
Кл.слова (ненормированные):
Al+Si melt, -- diode, -- sheet thermomigration,
Аннотация: The paper considers using the technology of sheet thermomigration of three-dimensional zones, which implements p+-Si* liquid epitaxy on an n-Si wafer, to produce power semiconductor devices with crystals having thinned layers of high-resistive n-Si base, which are surrounded by p+-Si* side insulation regions, and thickened p+-Si* emitter layers. This technology, which has a number of advantages, was used to create diode arrays in n-Si with a specific resistance of 20 Ω∙cm. For recrystallization, p+-Si wafers with a resistivity of 0.005 Ω∙cm were used. The produced direct polarity diodes had a breakdown voltage of 1000 V, a forward voltage drop of 1.17 V at a current density of 2.0 A/mm2, and a reverse resistance recovery time of trr = 1.5 μs. Additional use of the technology of creation of recombination centers allowed to further improve trr to 0.5 μs.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
KRAVCHINA, V.V.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

621.382
Л 64

Литвиненко, В. М.
ПОЛІПШЕННЯ ЗВОРОТНИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНІЄВОГО ВАРИКАПА ЗА ДОПОМОГОЮ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ГЕТЕРУВАННЯ [Электронный ресурс] / В. М. Литвиненко, С. В. Шутов. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 47-49 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

621.382

Рубрики: ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОЦЕСИ ТА ОБЛАДНАННЯ
Кл.слова (ненормированные):
нікель, -- омічний контакт, -- гетерування,
Аннотация: Розглянуто причини та механізми деградації зворотних характеристик варикапа в процесі формування омічного контакту на основі нікелю. Досліджено вплив низькотемпературного гетерувального відпалу варикапних структур після формування омічного контакту на основі нікелю на рівень зворотного струму варикапів, а також проаналізовано можливі механізми цього впливу. Показано ефективність запропонованої технології з використанням гетерування щодо зниження рівня зворотних струмів і підвищення виходу придатних приладів.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Шутов, С.В.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

536.248.2
Л 61

ВПЛИВ ФОРМИ ГРАВІТАЦІЙНОЇ ТЕПЛОВОЇ ТРУБИ З РІЗЬБОВИМ ВИПАРНИКОМ НА ЇЇ ТЕПЛОПЕРЕДАВАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ [Электронный ресурс] / Л. В. Ліпніцький, Р. С. Мельник, Ю. Є. Ніколаєнко. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 27-32 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

536.248.2

Рубрики: ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ ТЕПЛОВИХ РЕЖИМІВ
Кл.слова (ненормированные):
теплова труба, -- теплопередавальні характеристики, -- різьбовий випарник,
Аннотация: Виконано порівняння теплових характеристик мідної гравітаційної циліндричної теплової труби (ТТ) з різьбовим випарником, заповненої фреоном R141b, до та після її сплющення. Експериментальні дослідження проводились при вертикальному розташуванні ТТ та під кутом нахилу відносно горизонту 15° в умовах охолодження зони конденсації вимушеною конвекцією. Показано, як впливає перехід від циліндричної форми корпусу до пласкої на температуру в зоні нагріву ТТ, тепловий опір та коефіцієнт тепловіддачі в зонах випаровування та конденсації в діапазоні теплової потужності від 5 до 70 Вт.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Ліпніцький, Л.В.; Мельник, Р.С.; Ніколаєнко, Ю.Є.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

621.315.592
К 59

ВОЛЬТ-АМПЕРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДІВ ШОТТКІ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ ГРАФЕН/n-Si [Текст] / І П. Козярський [та ін.]. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 3-8 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

621.315.592

Рубрики: Сучасні електронні технології
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктури -- електричні властивості
Аннотация: Діоди Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si були отримані методом механічного відшарування графіту до кількашарового графену у водному розчині полівінілпіролідону внаслідок гідродинамічних явищ в розчині диспергованого графіту. Досліджувалися електричні властивості структур, які відрізнялися тривалістю нанесення плівок графену на пластини n-Si. Температура пластин не перевищувала 250°C. Утворення шарів графену підтверджено дослідженням спектрів комбінаційного розсіювання в діапазоні частот 1000—3250 см–1, де проявляються смуги G і 2D з особливостями, характерними для кількашарового графену. Встановлено залежність електричних властивостей досліджуваних поверхнево-бар’єрних структур графен/n-Si від тривалості напилення плівок графену.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Козярський, І П.; Ілащук, М.І.; Орлецький, І.Г.; Козярський, Д.П.; Миронюк, Л.А.; Миронюк, Д.В.; Євтушенко, А.І.; Майструк, Е.В.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

621.396.965:621.391.26
Ц 30

Цевух, І. В.
ПОКАЗНИК ПОЛІПШЕННЯ НЕЛІНІЙНИХ ОДНОКАНАЛЬНИХ СИСТЕМ ОБРОБКИ СИГНАЛУ В УМОВАХ ГАУСОВИХ ЗАВАД [Текст] / І. В. Цевух, А. А. Сакович, В. І. Цевух. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 9-13 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

621.396.965:621.391.26

Рубрики: СИСТЕМИ ПЕРЕДАЧІ ТА ОБРОБКИ СИГНАЛІВ
Кл.слова (ненормированные):
система обробки сигналу -- адитивна суміш завад, -- коефіцієнт поліпшення.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Сакович, А.А.; Цевух, В.І.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

621.314.1:621.311.61
М 23

Манжелій, А. Ю.
ГІБРИДНИЙ НАКОПИЧУВАЧ ЕЛЕКТРОЕНЕРГІЇ ТИПУ «АКУМУЛЯТОРНА БАТАРЕЯ — СУПЕРКОНДЕНСАТОР» ДЛЯ МІКРОМОБІЛЬНОГО ЕЛЕКТРОТРАНСПОРТУ [Электронный ресурс] / А. Ю. Манжелій, А. Ф. Бондаренко. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 14-25 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

621.314.1:621.311.61

Рубрики: ЕНЕРГЕТИЧНА ЕЛЕКТРОНІКА
Кл.слова (ненормированные):
гібридна система, -- суперконденсатор, -- акумуляторна батарея,
Аннотация: Обґрунтовано важливість гібридизації системи живлення мікромобільного електротранспорту з урахуванням жорстких обмежень щодо кінцевих розмірів та ваги накопичувача на прикладі електровелосипеда. Наведено огляд основних типів топології для гібридизації та проаналізовано переваги й недоліки кожного з них. Описано можливості використання суперконденсаторів як вторинного джерела гібридної системи. Запропоновано шлях подолання недоліків використання стандартних акумуляторів через їх поєднання із вторинним джерелом. Проведено розрахунки, які підтверджують доцільність використання гібридної системи для поліпшення експлуатаційних умов акумуляторної батареї. На прикладі електровелосипеда представлено алгоритм роботи системи накопичення для можливих режимів його роботи.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Бондаренко, А.Ф.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

629.5.064.5
З-13

ПРИЛАД ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ СИГНАЛІВ КОНВЕЄРНИХ ВАГ ПРИ ЗАВАНТАЖЕННІ СУДНА СИПУЧИМИ МАТЕРІАЛАМИ [Электронный ресурс] / В. А. Завадський, Р. Ю. Харченко. - Електрон. текстові дані, 26.5 Mb // ТКЕА : Науково-виробничий журнал. - 2023. - № 1/2. - С. 50-59 . - ISSN 0130-6243. - ISSN 2225-5818. - ISSN 2309-9992

УДК

629.5.064.5

Рубрики: МЕТРОЛОГІЯ. СТАНДАРТИЗАЦІЯ
Кл.слова (ненормированные):
конвеєрні ваги, -- точність вимірювання, -- алгоритм роботи,
Аннотация: Розроблено пристрій та алгоритм його роботи, які направлені на поліпшення якості та підвищення точності вимірювання за допомогою конвеєрних ваг маси завантажуваного на судно сипучого матеріалу. Пристрій дозволяє не тільки одночасно вимірювати поточну вагу сировини, що знаходиться на ваговій платформі, та швидкість пересування стрічки конвеєра, а й враховувати неоднорідність сипучого матеріалу та нерівномірність руху стрічки.

Перейти: Читати

Доп.точки доступа:
Завадський, В.А.; Харченко, Р.Ю.

Имеются экземпляры в отделах:
ЧЗ Экз. 21 - (свободен)

Найти похожие

004.72
Д 74

Дріссен, О..
АПАРАТНА РЕАЛІЗАЦІЯ ЗГОРТКОВИХ НЕЙРОННИХ МЕРЕЖ [Электронный ресурс] / О. Дріссен. - Електрон. текстові дані // Електронні компоненти і системи. - 2023. - N 2. - С. 15-20 . - ISSN 1817-2369. - ISSN 1817-2377. - ISSN 1817-2369

УДК

004.72

Рубрики: НОВІ ТЕХНОЛОГІЇ
Кл.слова (ненормированные):
штучний інтелект -- мікроконтролери
Аннотация: У двох статтях на цю тему, опублікованих у журналі ЕКіС, розглянуто властивості та застосування згорткових нейронних мереж, які використовуються для розпізнавання образів і класифікації об’єктів. Третя стаття пояснює апаратну реалізацію таких мереж, зокрема, переваги використання мікроконтролера штучного інтелекту з апаратним прискорювачем.

Имеются экземпляры в отделах:
Електронна бібліотека Экз. 22 - (свободен)

Найти похожие

10.

621.382: 001.895
Р 69

Романов, В..
НОВІ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОБНИЦТВА "ЧИСТОЇ" ЕНЕРГІЇ – ПОТУЖНИЙ СТИМУЛ ДЛЯ РОЗВИТКУ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ ТА СИСТЕМ УПРАВЛІННЯ НА ЇЇ ОСНОВІ [Электронный ресурс] / В. Романов. - Електрон. текстові дані // Електронні компоненти і системи. - 2023. - N 2. - С. 21-24 . - ISSN 1817-2369. - ISSN 1817-2377. - ISSN 1817-2369

УДК

621.382: 001.895

Рубрики: НОВІ ТЕХНОЛОГІЇ
Кл.слова (ненормированные):
інноваційні технології -- екологічно чисті технології
Аннотация: Метою цієї публікації є висвітлення того, як інноваційні технології та засоби на їх основі сприяють впровадженню екологічно чистих технологій. Стаття підготована по матеріалах зарубіжних публікацій.

Имеются экземпляры в отделах:
Електронна бібліотека Экз. 22 - (свободен)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 16.05.2024
Число запросов	7896
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)